IGBT简介：

IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是常见的功率，期间经常使用在强电流高电压的场景中，如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成，兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点，IGBT是电力电子设备的“cpu”，被国家列为重点研究对象。

IGBT测试难点：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。

2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。

3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。

4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。

5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。

6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。

测试方案：

静态测试设备：2600-PCT。可选200V/10A低压基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高压配置、3000V/50A高压高流等配置。

测试载台:高功率探针台/测试夹具

动态测试设备：函数发生器+泰克示波器MSO5/6+探头

测试载：台配套电源测试板

泰克优势：

1.全面的静态动态测试方案；

2.最高100A/3000V高压高流高精度设备；四线法配置；可进行脉冲测试；最小脉宽100US；从fF到uf电容测试能力；

3.高性能测试夹具支持多种封装类型；

4.支持大多数探头类型，包括KHV三同轴，AHV三同轴，标准三同轴等；可适配绝大部分高功率探针台；

5.高压/高流/高压&高流灵活配置。

测试项目举例：

静态参数标准测试项目：

击穿电压；阈值电压；开态电流；漏电流；正向跨导；输入电容；输出电容；反向传输电容等；

动态参数标准测试项目：

开通时间；关断时间；关断延迟时间；下降时间，单脉冲开通能量；单脉冲关断能量。

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