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吉时利2450在宽禁带半导体及静态测试方案

发布日期:2023-12-28     作者: 安泰测试     浏览数:   

  1.什么是宽禁带半导体

  第三代半导体(本文以SiC和GaN为主)又称宽禁带半导体,禁带宽度在2.2eV以上,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,逐步受到重视。SiC与GaN相比较,前者相对GaN发展更早一些,技术成熟度也更高一些;两者有一个很大的区别是热导率x,这使得在高功率应用中,SiC占据统治地位;同时由于GaN具有更高的电子迁移率,因而能够比SiC或Si具有更高的开关速度,在高频率应用领域,GaN具备优势。

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  2.宽禁带半导体静态测试

  静态测试

  静态:也叫稳态或者DC状态,施加激励(电压/电流)到稳定状态后再进行测试。

  常作为器件的“体检”!是特性测试中的基本测试;

  特点:测试稳定,精度高,测试慢;

  静态参数主要是指本身固有的,与其工作条件无关的相关参数。静态参数测试又叫稳态或者DC(直流)状态测试,施加激励(电压/电流)到稳定状态后再进行的测试。主要包括:栅极开启电压、栅极击穿电压、源极漏级间耐压、源极漏级间漏电流、寄生电容(输入电容、转移电容、输出电容),以及以上参数的相关特性曲线的测试。

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  设备:源和测量单元一体,也就是SMU设备;

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  吉时利2450

  2450型是Keithley的新一代源测量单元(SMU)仪器,可轻松执行欧姆定律(电流、电压和电阻)测试。其创新的图形用户界面(GUI)和先进的电容式触摸屏技术让使用变得非常直观,并最大程度地减少学习曲线,从而使工程师和科学家能够更快地学习、更智能地工作且更轻松地进行发明创造,如果您有更多疑问或需求可以关注西安安泰测试Agitek哦!非常荣幸为您排忧解难。


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