一、基本原理

四探针法的核心配置是将四根等间距的金属探针排列在一条直线上（或按范德堡法配置在样品四角）。测量时，利用外侧的两根探针（1和4）向样品注入恒定电流 II，同时利用内侧的两根探针（2和3）测量样品表面的电位差V。

由于电压测量回路的输入阻抗极高，流过内侧探针的电流几乎为零，因此探针与样品之间的接触电阻以及引线自身的引线电阻不会对电压测量造成影响。这样，测得的电压 VV 就完全反映了探针下方半导体材料的体电阻特性,满足以下表达式

二、测试分类与计算公式

根据样品尺寸与探针间距的相对关系，四探针法主要分为两种测试模式：

三、 关键技术细节

1.探针间距均匀性：四根探针需严格等距。若间距不均匀，会导致几何因子偏离理论值，通常通过校准标准片来消除系统误差。

2.电流选择：注入电流的大小需根据被测材料的电阻率调整。对于半导体材料，通常选择小电流（如μA 级别）以避免注入载流子引起少子注入效应或焦耳热导致电阻率变化。

3.接触形式：探针尖端通常使用硬质金属（如钨、碳化钨）制成，并施加一定压力，目的是刺破样品表面的氧化层，形成欧姆接触。

4. 范德堡法（Van der Pauw Method）

对于形状不规则或无法切割成规则长条状的薄层样品（如方形、任意形状的薄膜），通常采用范德堡法。该方法将四个触点置于样品的四个边缘，通过切换电流和电压的测量

设备组成

配套系统示意图