问题：客户做忆阻器相关测试，需要搭配一套方案满足测试需求

　　问题分析:

　　忆阻器测试流程熟悉：

　　作为存储器，忆阻器同样有“置0”和“置1”及读操作，只不过“置0”被称为“RESET”，即从低阻态(LRS)重置为高阻态(HRS)，反之被称为SET，即“置1”操作。

　　但忆阻器在进行读写操作之前，需要做一次“Forming”，这个激发操作之后,忆阻器件才具有正常的忆阻特性。在各个操作阶段，都需要对忆阻器特性进行表征，测试流程如下:

　　Forming前后特性验证。验证Forming前后的电阻。通常没有特殊的测试步骤，一般与忆阻器单元IV特性测试结合在一起。

　　忆阻器单元IV特性测试(通常与Forming结合)。测试SET/RESET,HRS/LRS IV特性,忆阻器单元的基本测试

　　高速脉冲测试。用更窄脉宽的读/写脉冲序列进行读写测试，忆阻器单元的速度极限能力测试

　　数据保留测试(Data retention)。数据保存后，在不同的环境下持续读出，测试忆阻器单元保存数据的持久力

　　循环次数测试(Endurance)。高频率写，持续读，验证忆阻器单元的耐受力

　　在忆阻器初级研发阶段，Forming及IV特性测试为基本测试，高速脉冲测试验证忆阻器的极限功能。在后续更深入的研究情况下，就根据测试需要进行调整。

　　客户问题分析：

　　需要进行IV特性测试，高速脉冲测试

　　如何解决：

　　根据不同测试项目搭配方案，最好能够一套方案满足测试需求：

　　通用配置一：（示例：半导体参数分析仪Fspro+探针台）

　　配备源表模块和脉冲测试模块，一套设备实现客户测试需求

　　通用配置二：（示例：半导体参数分析仪4200+探针台）

　　配备源表模块和脉冲测试模块，一套设备实现客户测试需求

　　当然了还有低成本方案：

　　26xx系列SMU,同时需有脉冲功能+简易探针

　　（主要是针对于IV测试）：

　　（主要针对脉冲测试）：

　　（AWG示意图）

　　（AFG示意图）

　　相应方案（摘自泰克数据表格）