同惠TH199X高精度源表助力半导体

半导体技术正从硅基向碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料跃迁，驱动新能源、电动汽车等领域能效跃升。

作为能源转换与控制的核心器件，MOS管凭借高频、高功率密度特性，支撑柔性直流输电调压、光伏MPPT追踪及储能动态管理等关键场景，其性能直接决定系统能效天花板。

多重角色

新能源汽车：MOSFET通过高效电能转换与精准动态调控，支撑电机驱动逆变器的高频开关、车载充电机的宽电压范围适配，以及电池管理系统的主动均衡与过压保护；

5G通信：MOSFET为5G基站电源模块的电能转换、射频前端的信号调制以及光模块的电光驱动提供关键支撑；

智能电网：实现柔性直流输电的电能质量优化、分布式光伏逆变器的最大功率点跟踪，以及储能系统的充放电智能管理。

客户情况

某高校为深入研究MOS管器件的电学性能，精准评估其在实际电路应用中的导通损耗情况，计划对一批MOS管器件晶片开展测试工作。

测试要求

进行MOS器件导通电阻Rds(on)的测试：

栅极电压（Vgs）加压，并测量漏源极之间的电压（Vds）和电流（Id）。

解决方案

为确保测试精度与效率，推荐使用TH199X系列高精度源表，其核心优势如下：

1、触屏交互+Linux内核：

TH199X系列高精密源表采用了7英寸电容式触摸屏，以Linux操作系统为底层，交互式图形用户界面及各种显示模式，并内置了二极管、三极管、MOS管以及IGBT等器件的I/V曲线扫描功能。

2、同步输出与测量能力：

TH1992的双通道可独立配置为电压源和电流源，并通过内置高精度电压表和电流表同步监测VDS，避免传统分立仪器因时间延迟或接触电阻导致的误差。

3、四象限动态测试支持：

TH199X系列支持电压/电流的正负输出（四象限工作），可模拟MOS管在开关瞬态或反向导通场景下的动态特性。

4、 兼具二线制测量/四线制测量

TH199X具有电流驱动高端 Hc、电流驱动低端 Lc、电压检测高端 Hp、电压检测低端 Lp 和对应于每测试端的屏蔽端一共四对测试端。

(1)二线制连接：只连接 Force 端子，然后打开 Sense 端子。可使用 Force端子施加和测量 DC 电压或电流。

(2)四线制连接：同时使用 Force 和 Sense 端子。将 Force 和 Sense 线同时连接到 DUT 的端子可以最大程度地减少由测试引线或电缆的残余电阻造成的测量误差。此连接对于低电阻测量和高电流测量有效。

5、高性价比与行业适配：

相比传统测试仪器，TH199X在保持10fA/100nV分辨率的同时，可大大降低成本，且针对功率半导体测试采用Delta低电阻测试方法，可有效补偿由热电动势引起的测量误差，适用于SiC/GaN MOSFET、IGBT等高压器件的评估，是研发与生产环节的理想选择。

除此之外，TH199X系列还可对MOS管的VDSS，VGS（th），IDSS，IGSS进行相关测试。

● VDSS：在实际应用中，需根据电路电压、工艺等因素综合选择VDSS参数，并通过余量设计和热管理确保器件长期稳定运行。

● VGS(th)：是MOSFET的核心参数，决定了器件的导通阈值、开关速度、导通损耗及温度特性。

● IDSS：是MOSFET截止区泄漏电流的核心指标，反映了器件的绝缘性能、可靠性和低功耗特性。

● IGSS：是MOSFET栅极-源极间泄漏电流的核心参数，直接反映栅氧质量和器件可靠性。

经验与总结

近年来，同惠电子聚焦半导体全链条测量，推出TH199X高精度源表、TH510半导体C-V特性分析仪等精密仪器，覆盖材料研发到器件封装的完整测试需求，为众多企业提供从硅基到第三代半导体的可靠解决方案，助力中国半导体产业突破技术瓶颈。