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LCR表在半导体分立器件 C-V 特性测试方案

发布日期:2022-12-29     作者: 安泰测试     浏览数:   

  方案特点

  包含C-V(电容-电压),C-T(电容-时间),C-F(电容-频率)等多项测试测试功能,C-V测试最多同时支持测试四条不同频率下的曲线。

  测试和计算过程由软件自动执行,能够显示数据和曲线,节省时间。

  提供外置直流偏压盒,最高偏压支持到正负200V,频率范围100Hz-1MHz。

  支持使用吉时利24XX/26XX系列源表提供偏压。

  测试功能

  电压-电容扫描测试

  频率-电容扫描测试

  电容-时间扫描测试

  MOS器件二氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度等参数的计算

  原始数据图形化显示和保存

  MOS电容的C-V特性测试方案

  系统结构

  系统主要由源表、LCR表、探针台和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~30MHz。源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过偏置夹具盒CT8001加载在待测件上。

  LCR表测试交流阻抗的方式是在HCUR端输出交流电流,在LCUR端测试电流,同时在HPOT和LPOT端测量电压值。电压和电流通过锁相环路同步测量,可以精确地得到两者之间的幅度和相位信息,继而可以推算出交流阻抗参数。

12847368_半导体器件02.png

  LCR表与待测件连接图

12847369_半导体器件03.png

  CV特性曲线测试结果

       以上就是LCR表在半导体分立器件 C-V 特性测试方案的相关介绍,如果您有更多疑问或需求可以关注西安安泰测试Agitek哦!非常荣幸为您排忧解难。

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