使用是德科技S系列示波器进行GaN/SiC功率器件动态特性分析

随着电力电子技术的快速发展，宽禁带（WBG）半导体器件如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）因其高开关速度、高耐压和高效率等优势，正逐步取代传统硅基器件，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器和数据中心电源等领域。然而，GaN/SiC器件的高速开关特性对测试测量设备提出了更高要求，尤其是动态特性分析，亟需高带宽、高采样率和高精度的示波器。是德科技（Keysight）S系列示波器凭借其卓越的性能，成为分析这类器件动态行为的理想工具。

S系列示波器具备高达数十GHz的带宽和超低本底噪声，能够精准捕获GaN/SiC器件在纳秒级甚至皮秒级的开关瞬态过程。其高采样率确保了波形细节的完整性，避免因欠采样导致的失真，尤其在测量快速电压变化（dV/dt）和电流变化（dI/dt）时表现突出。配合高带宽有源探头或差分探头，可有效抑制共模噪声，提升测量精度，确保栅极驱动信号与漏源电压（Vds）或集电极-发射极电压（Vce）的同步采集。

在动态特性分析中，关键参数包括开关损耗、导通/关断时间、振铃现象及米勒平台电压。S系列示波器内置高级电源分析软件，可自动识别开关周期，计算导通损耗（Eon）、关断损耗（Eoff）和总开关损耗，支持多周期统计分析，评估器件在不同工况下的稳定性。通过深存储技术，示波器可长时间记录开关波形，结合触发功能，精准定位异常事件，如电压过冲或振荡。

此外，S系列支持多通道同步采集，便于同时监测驱动信号、电压和电流波形，实现对器件开关过程的全面解析。其高分辨率模式（HDR）进一步提升了垂直分辨率，有助于识别微小信号变化，如栅极阈值波动或寄生电感引起的尖峰。

值得一提的是，S系列示波器提供开放的软件平台，支持与MATLAB、Python等工具集成，便于用户进行自定义算法分析或自动化测试，提升研发效率。

综上所述，是德科技S系列示波器凭借其高带宽、高精度、强大的分析功能和灵活的扩展性，为GaN/SiC功率器件的动态特性测试提供了可靠、高效的解决方案，助力电力电子工程师优化设计、提升系统效率与可靠性。