同惠TH530系列半导体器件雪崩能量测试仪

在半导体技术飞速发展的当下，半导体器件的性能与可靠性成为众多行业应用的关键支撑，从消费电子到新能源汽车，从工业控制到航空航天，无一不依赖高性能半导体器件的稳定运行。

半导体器件在实际应用中，常常会遭遇各种极端工况，如电路短路、电压突变、负载突变等，这些情况可能引发器件内部的雪崩击穿现象。

TH530系列雪崩测试仪能够精准模拟这些极端工况，对器件的雪崩能量耐受能力进行全面测试。通过测试，可以筛选出雪崩击穿下能稳定工作的器件，确保可靠性，减少系统故障，提升电子系统稳定性和安全性。

A.高精度数据采集

TH530系列具备高精度的电流与电压波形捕捉及提取能力，同时能够精准捕捉雪崩持续时间。该设备可针对雪崩电压最高达2500V、峰值电流为200A等级的半导体器件开展测试工作。

TH530系列可将波形保存到测试结果文件中，在显示屏幕上用户最多可查看最近四次的波形数据。

为便于用户查看，测试仪默认同时显示电压电流波形，用户仍可触摸“电压”或“电流”来单独查看对应波形。

B.单/双通道测试模式

TH530系列具备单通道和双通道两种测试模式，能够针对N型或P型半导体器件，以及N/P组合型器件展开全面测试，涵盖的器件类型包括但不限于MOSFET、IGBT以及二极管等常见功率半导体器件。

通过灵活配置测试通道和参数，可精准评估不同类型器件的电气特性与性能指标，为半导体器件的研发、生产和质量控制提供可靠的数据支持。

C.多器件兼容性

TH530系列是同惠电子针对半导体器件UIS（EAS）、EAR参数测量问题的解决方案。主要用于测量MOSFET、IGBT、Diode和双极性器件（带钳位）的雪崩击穿特性（电压、能量等）。

通过给被测器件施加可控制的感性能量，判断出被测器件是否能正常吸收和承受电感释放的能量。经过雪崩测试的器件，就可安全地用于有反向电动势的感性负载上。

D.泄漏测试：可选择性启用

每次雪崩测试前，在栅极电压设置为0的情况下，用户设置的泄漏电压会被施加到被测件上，读取电流检测器测量值。

TH530系列可以在雪崩测试前、测试后或测试前后对被测件进行泄漏测试。这不是测量实际漏电电流，而是确定被测件或测试夹具中是否存在短路的简单测试。 

TH530系列内部配备的漏电稳压器，其电压可调节范围为2V—28V，用户可依据被测试装置雪崩测试所设定的漏极电压值进行灵活设置。

在该测试过程中，当检测到的漏电流超过1mA 时，系统将判定为出现漏电故障；同时，漏电流的最大允许值被限定为8mA。

E.雪崩测试原理

TH530系列配备TH530-01型可编程电感负载箱，它提供从 0.01mH 到159.9mH 的电感值。

当高速开关和被测件接通时，漏极电流增加，到达指定的比较点时，高速开关与被测件栅极同时关断。关断后由于电感中电流无法突变，因为续流二极管的存在，电流路径得以维持，电感存储的能量将泄放至被测件(以NMOS为例)上，致使被测件进入雪崩状态，此时被测件DS两端电压即为雪崩电压，而此时电感上被转移的能量，可认为是NMOS的雪崩能量(EAS)。

半导体器件是现代电子技术基石，性能与可靠性影响电子系统稳定运行。TH530系列雪崩测试仪具备精准模拟极端工况的能力，可对半导体器件的雪崩能量耐受力展开全面测试，进而为企业筛选出性能稳定的器件提供有力支持。